2SB1236ATV2Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 160 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 160 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180

Höhe:

4.4 mm

Länge:

6.8 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

82

Pd - Verlustleistung:

10 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SB1236A, 2SB1236, 2SB123, 2SB12, 2SB1, 2SB