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SI5944DU-T1-GE3

SI5944DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5944DU-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI5944DU-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI5944DU-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR ChipFET Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR ChipFet Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
10W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
40V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
210pF @ 20V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
112 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
6.6nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
6 ns
Anstiegszeit
30 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
3.28 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
3 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
112 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
10 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
4 ns
Qg-Gate-Ladung
6.6 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
6.88 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI594, SI59, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 40V 3.28A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
***ronik
DUAL 40V 6A 100mOhm ChipFET
***
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S)
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:6000mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.171ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI5944DU-T1-GE3
DISTI # SI5944DU-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI5944DU-T1-GE3
    DISTI # 781-SI5944DU-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI5944DU-T1-GE3Vishay SiliconixPOWER, FET2920
      • 1940:$0.3630
      • 434:$0.4125
      • 1:$1.3200
      Bild Teil # Beschreibung
      SI5944DU-T1-E3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-E3

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      SI5944DU-T1-GE3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
      SI5944DU-T1-E3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2000
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      0,54 $
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      5,17 $
      100
      0,49 $
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