CSD13306WT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

8.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.62 mm

Länge:

1.5 mm

Serie:

CSD13306W

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

8 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.000060 oz

Tags

CSD1330, CSD133, CSD13, CSD1, CSD