AUIRFP4310Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

128 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

188 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

278 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.7 mm

Länge:

15.87 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.31 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

169 S

Abfallzeit:

83 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

81 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

58 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Teil # Aliase:

SP001522702

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

AUIRFP4, AUIRFP, AUIRF, AUIR, AUI