MJE5730

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

10 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

9.28 mm (Max)

Länge:

10.28 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.82 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30

Pd - Verlustleistung:

40 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

MJE573, MJE57, MJE5, MJE