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BG 5130R E6327

BG 5130R E6327
Mfr. #:
BG 5130R E6327
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors DUAL - N-Channel MOSFET Tetrode
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BG 5130R E6327 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
BG 5130R E6327 DatasheetBG 5130R E6327 Datasheet (P4-P6)BG 5130R E6327 Datasheet (P7-P9)BG 5130R E6327 Datasheet (P10)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
25 mA
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
8 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-363
Verpackung:
Spule
Aufbau:
Dual
Höhe:
0.9 mm
Länge:
2 mm
Typ:
HF-Kleinsignal-MOSFET
Breite:
1.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Pd - Verlustleistung:
200 mW
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
6 V
Gewichtseinheit:
0.000212 oz
Tags
BG5130RE, BG5130, BG513, BG51, BG5
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BG 5130R E6327
DISTI # BG5130RE6327-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
RoHS: Compliant
Min Qty: 6000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    BG 5130R E6327
    DISTI # 726-BG5130RE6327    		Infineon Technologies AGRF MOSFET Transistors DUAL - N-Channel MOSFET Tetrode
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      BG 5130R E6327

      Mfr.#: BG 5130R E6327

      OMO.#: OMO-BG-5130R-E6327

      		 RF MOSFET Transistors DUAL - N-Channel MOSFET Tetrode
      BG 5130R E6327

      Mfr.#: BG 5130R E6327

      OMO.#: OMO-BG-5130R-E6327-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1500
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