ZDX130N50

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

520 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.8 mm

Länge:

15.4 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

ZDX130N50

Transistortyp:

1 N-channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

10.3 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Teil # Aliase:

ZDX130N50

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

ZDX1, ZDX