DMC3400SDW-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

650 mA, 450 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

200 mOhms, 360 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV, 2.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.4 nC, 1.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

310 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC3400

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

18.8 ns, 19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.5 ns, 8.8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25.2 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.8 ns, 5.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

DMC34, DMC3, DMC