RN1101MFV(TPL3)

RN1101MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1101MFV(TPL3)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1101MFV(TPL3) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
4.7 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
SMD/SMT
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
30
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1101
Verpackung:
Spule
DC-Stromverstärkung hFE Max:
30
Marke:
Toshiba
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1101M, RN1101, RN110, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1101MFV(TPL3)
DISTI # RN1101MFV(TPL3)
Toshiba America Electronic ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R - Tape and Reel (Alt: RN1101MFV(TPL3))
RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Reel
Americas - 0
    RN1101MFV(TPL3)
    DISTI # 757-RN1101MFV(TPL3)
    Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RoHS: Compliant
    0
    • 8000:$0.0360
    • 24000:$0.0340
    • 48000:$0.0320
    • 96000:$0.0280
    RN1101MFV(TPL3)
    DISTI # 580048
    Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=150MA VESM, PK150
    • 50:£0.0540
    • 200:£0.0320
    • 500:£0.0290
    • 1000:£0.0280
    • 2000:£0.0280
    RN1101MFV(TPL3)Toshiba America Electronic Components 29
    • 14:$0.3200
    • 1:$0.4000
    Bild Teil # Beschreibung
    RN1101MFV,L3F

    Mfr.#: RN1101MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-L3F

    Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1101MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1101MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-TPL3-

    Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1101MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1101MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-TPL3--123

    Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1101MFVL3XGF

    Mfr.#: RN1101MFVL3XGF

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3XGF-1190

    Neu und Original
    RN1101MFVL3FCT-ND

    Mfr.#: RN1101MFVL3FCT-ND

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3FCT-ND-1190

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    RN1101MFVL3FDKR-ND

    Mfr.#: RN1101MFVL3FDKR-ND

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3FDKR-ND-1190

    Neu und Original
    RN1101MFVL3FTR-ND

    Mfr.#: RN1101MFVL3FTR-ND

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3FTR-ND-1190

    Neu und Original
    RN1101MFV

    Mfr.#: RN1101MFV

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-1190

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    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    3500
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