FDD050N03B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.2 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

65 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FDD050N03B

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

169 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14.5 ns

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FDD05, FDD0, FDD