SSM3K361R,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

92 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

3.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFETs

Serie:

SSM3K36

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

SSM3K361R, SSM3K361, SSM3K36, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM