TK10J80E,S1E

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PN-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

46 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

20 mm

Länge:

15.5 mm

Serie:

TK10J80E

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

140 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

80 ns

Gewichtseinheit:

0.245577 oz

Tags

TK10J, TK10, TK1