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SIHA22N60EF-GE3

SIHA22N60EF-GE3
Mfr. #:
SIHA22N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHA22N60EF-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SIHA22N60EF-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
19 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
182 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
96 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
33 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Serie:
EF
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Vishay / Siliconix
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
5.8 S
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
21 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
15 ns
Tags
SIHA22N60E, SIHA22, SIHA2, SIHA, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
EF Series High Voltage Power MOSFETs
Vishay / Siliconix EF Series High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHA22N60EF-GE3
DISTI # SIHA22N60EF-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		47In Stock
  • 5000:$1.6692
  • 3000:$1.7345
  • 1000:$1.8257
  • 100:$2.5430
  • 25:$2.9344
  • 10:$3.1040
  • 1:$3.4600
SIHA22N60EF-GE3
DISTI # 06AH4236		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 600V, 19A, 150DEG C, 33W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:19A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.158ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4V,Power RoHS Compliant: Yes1050
  • 2500:$1.5100
  • 1000:$1.6400
  • 500:$1.8400
  • 100:$2.0300
  • 50:$2.2900
  • 25:$2.4900
  • 10:$2.6900
  • 1:$3.0300
SIHA22N60EF-GE3
DISTI # 78-SIHA22N60EF-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220,w/diode
RoHS: Compliant		979
  • 1:$3.4700
  • 10:$2.8800
  • 100:$2.3700
  • 250:$2.2900
  • 500:$2.0600
  • 1000:$1.7300
  • 2500:$1.6500
  • 5000:$1.5800
SIHA22N60EF-GE3
DISTI # 3104154		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 600V, 19A, 150DEG C, 33W1050
  • 500:£1.7600
  • 250:£1.9300
  • 100:£2.0500
  • 10:£2.5000
  • 1:£3.3300
SIHA22N60EF-GE3
DISTI # 3104154		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 600V, 19A, 150DEG C, 33W
RoHS: Compliant		1050
  • 1000:$2.3000
  • 500:$2.5200
  • 250:$2.6800
  • 100:$2.8100
  • 10:$3.2900
  • 1:$4.2000
Bild Teil # Beschreibung
OPA2313QDGKRQ1

Mfr.#: OPA2313QDGKRQ1

OMO.#: OMO-OPA2313QDGKRQ1

 Operational Amplifiers - Op Amps MICROPOWER 1MHZ RRIO CMOS DUAL OP AMP
NE555P

Mfr.#: NE555P

OMO.#: OMO-NE555P

 Timers & Support Products Precision
NTB110N65S3HF

Mfr.#: NTB110N65S3HF

OMO.#: OMO-NTB110N65S3HF

 MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,110M
NTPF110N65S3HF

Mfr.#: NTPF110N65S3HF

OMO.#: OMO-NTPF110N65S3HF

 MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,110M
MPX256K305R

Mfr.#: MPX256K305R

OMO.#: OMO-MPX256K305R

 Film Capacitors 25uF 305V
ESP32-WROOM-32

Mfr.#: ESP32-WROOM-32

OMO.#: OMO-ESP32-WROOM-32

 WiFi Modules (802.11) SMD Module, ESP32-D0WDQ6, 32Mbits SPI flash, UART
MPX256K305R

Mfr.#: MPX256K305R

OMO.#: OMO-MPX256K305R-ILLINOIS-CAPACITOR

 CAP FILM 25UF 10% 305VAC RAD
ESP32-WROOM-32

Mfr.#: ESP32-WROOM-32

OMO.#: OMO-ESP32-WROOM-32-ESPRESSIF-SYSTEMS

 SMD MODULE, ESP32-D0WDQ6, 32MBIT
RKZE-1212S

Mfr.#: RKZE-1212S

OMO.#: OMO-RKZE-1212S-RECOM-POWER

 2W DC/DC-Converter 'ECONOLINE' SIP7 3kV unreg
EVAL-ADGS1409SDZ

Mfr.#: EVAL-ADGS1409SDZ

OMO.#: OMO-EVAL-ADGS1409SDZ-ANALOG-DEVICES

 Evaluation board
Verfügbarkeit
Aktie:
933
Auf Bestellung:
2916
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
3,47 $
3,47 $
10
2,88 $
28,80 $
100
2,37 $
237,00 $
250
2,29 $
572,50 $
500
2,06 $
1 030,00 $
1000
1,73 $
1 730,00 $
2500
1,65 $
4 125,00 $
5000
1,58 $
7 900,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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