SSM3J352F,LF

SSM3J352F,LF
Mfr. #:
SSM3J352F,LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SSM3J352F,LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
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ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
S-Mini-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
P-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
90 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
12 V
Qg - Gate-Ladung:
5.1 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
600 mW
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
3.8 S
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
31 ns
Gewichtseinheit:
0.000423 oz
Tags
SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
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Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Applications include mobile devices (wearable device, smart phone, tablet PC, etc.), load switches, DC-DC converters, and general purpose switches. 
Bild Teil # Beschreibung
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Mfr.#: TPS62237DRYR

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Verfügbarkeit
Aktie:
677
Auf Bestellung:
2660
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