IXTA06N120P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263AA-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

600 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

34 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

13.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.5 mm

Länge:

9.9 mm

Serie:

IXTA06N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.2 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.28 S

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

37 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTA06, IXTA0, IXTA, IXT