TPN11003NL,LQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSON-Advance-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

31 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

19 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

3.1 mm

Serie:

TPN11003NL

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.1 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

1.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.1 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

TPN11003, TPN110, TPN11, TPN1, TPN