MMBT4356

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.8 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MMBT4356

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250

Höhe:

1.5 mm

Länge:

2.92 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

MMBT4356_NL

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

MMBT435, MMBT43, MMBT4, MMBT, MMB