PBSS4160DSH

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

200 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

220 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500 at 1 mA, 5 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Nexperia

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

250 at 1 mA, 5 V

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

PBSS4160DS, PBSS4160D, PBSS416, PBSS41, PBSS4, PBSS, PBS