2N5416U4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SMD-0.22-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

350 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 50 mA, 10 V

Verpackung:

Tablett

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15 at 1 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N5416U4, 2N5416U, 2N5416, 2N541, 2N54, 2N5