STP80NE03L-06

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

22 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP80NE03L

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

50 S

Abfallzeit:

165 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

260 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Gewichtseinheit:

0.079014 oz

Tags

STP80NE03, STP80NE, STP80N, STP80, STP8, STP