PMN30XPEX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

34 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

750 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

62 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

934660262115

Tags

PMN30XPE, PMN30X, PMN30, PMN3, PMN