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TK290P60Y,RQ

TK290P60Y,RQ
Mfr. #:
TK290P60Y,RQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK290P60Y,RQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK290P60Y,RQ DatasheetTK290P60Y,RQ Datasheet (P4-P6)TK290P60Y,RQ Datasheet (P7-P9)TK290P60Y,RQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK290P60Y,RQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DPAK-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
230 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
25 nC
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
100 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSV
Verpackung:
Spule
Serie:
TK290P60Y
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
25 ns
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
170 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
65 ns
Tags
TK290P60, TK290P, TK290, TK29, TK2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Dpak(Os) Pd=100W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***et
Power MOSFET N-Channel 600V 11.5A 3-Pin DPAK T/R
***ical
Silicon N-Channel MOSFETs
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Bild Teil # Beschreibung
ESP8266EX

Mfr.#: ESP8266EX

OMO.#: OMO-ESP8266EX

 RF System on a Chip - SoC SMD IC ESP8266EX, QFN32-pin, 5*5mm
AT25PE20-SSHN-B

Mfr.#: AT25PE20-SSHN-B

OMO.#: OMO-AT25PE20-SSHN-B

 NOR Flash 2Mb 1.65V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP
AT25SF081-SSHD-T

Mfr.#: AT25SF081-SSHD-T

OMO.#: OMO-AT25SF081-SSHD-T

 NOR Flash 8Mb, 2.5V, 85Mhz Serial Flash
STB18N60M6

Mfr.#: STB18N60M6

OMO.#: OMO-STB18N60M6

 MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
M74VHC1G132DFT1G

Mfr.#: M74VHC1G132DFT1G

OMO.#: OMO-M74VHC1G132DFT1G

 Logic Gates 2-5.5V Single 2-Input NAND Schmitt
EMK107BB7225KA-T

Mfr.#: EMK107BB7225KA-T

OMO.#: OMO-EMK107BB7225KA-T

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 16VDC 2.2uF 10% X7R
BM71BLES1FC2-0002AA

Mfr.#: BM71BLES1FC2-0002AA

OMO.#: OMO-BM71BLES1FC2-0002AA

 Bluetooth Modules (802.15.1) BT 4.2 BLE Module Shielded Ant
L-07C2N2SV6T

Mfr.#: L-07C2N2SV6T

OMO.#: OMO-L-07C2N2SV6T

 Fixed Inductors 2.2nH
ESP8266EX

Mfr.#: ESP8266EX

OMO.#: OMO-ESP8266EX-ESPRESSIF-SYSTEMS

 SMD IC ESP8266EX, QFN32-PIN, 5_5
STB18N60M6

Mfr.#: STB18N60M6

OMO.#: OMO-STB18N60M6-1190

 N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1988
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1,61 $
1,61 $
10
1,29 $
12,90 $
100
1,13 $
113,00 $
500
0,87 $
437,00 $
1000
0,69 $
691,00 $
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