2N6768

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-204AE-2

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

400 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

110 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Abfallzeit:

130 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

190 ns

Werkspackungsmenge:

22

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

170 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Gewichtseinheit:

0.014110 oz

Tags

2N6768, 2N676, 2N67, 2N6