NTD3055-094-1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

94 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.35 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2.38 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.7 S

Abfallzeit:

23.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32.3 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD3055-0, NTD305, NTD30, NTD3, NTD