TK40P04M1(T6RSS-Q)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

29 nC

Pd - Verlustleistung:

47 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

TK40P04M1

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

63 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

27 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

TK40P04M1, TK40P04, TK40P, TK40, TK4