NTP4302G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

74 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.3 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

80 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.28 mm

Länge:

10.28 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

35 ns, 30 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns, 70 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns, 32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 18 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

NTP4, NTP