150-101N09A-00

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

160 mOhms

Ausgangsleistung:

200 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SMD-6

Verpackung:

Rohr

Arbeitsfrequenz:

100 MHz

Serie:

DE

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Qg - Gate-Ladung:

22 nC

Werkspackungsmenge:

40

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Tags

150-10, 150-1, 150