NTS4173PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTS4173P

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.24 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.6 S

Abfallzeit:

6.7 ns, 7.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.2 ns, 6.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16.2 ns, 19.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.3 ns, 7.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000219 oz

Tags

NTS417, NTS41, NTS4, NTS