BD910

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

15 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BD910

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250

Höhe:

9.15 mm (Max)

Länge:

10.4 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.6 mm (Max)

Marke:

STMicroelectronics

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

90 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

BD910, BD91, BD9