MPS6513

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MPS65

DC-Stromverstärkung hFE Max:

90 at 2 mA, 10 V

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.21 mm

Breite:

4.19 mm

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.45 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

90 at 2 mA, 10 V, 60 at 100 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

MPS6513, MPS651, MPS65, MPS6, MPS