2N7002WT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

310 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

280 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.24 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.2 ns

Gewichtseinheit:

0.000219 oz

Tags

2N7002WT, 2N7002W, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7