IXTN8N150L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

250 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

545 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTN8N150

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.4 S

Abfallzeit:

95 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

36 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

IXTN, IXT