SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8900EDB-T2-E1
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI8900EDB-T2-E1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
10-UFBGA, CSPBGA
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
10-Micro Foot CSP (2x5)
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Leistung max
1W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
5.4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
-
Vgs-th-Max-Id
1V @ 1.1mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
-
Pd-Verlustleistung
1 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
4500 ns
Anstiegszeit
4500 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
5.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
24 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
55000 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
3000 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI8900E, SI8900, SI890, SI89, SI8
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Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 20V, 7A, MICRO FOOT
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # SI8900EDB-T2-E1TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.6093
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # 781-SI8900EDB-E1
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.4700
Bild Teil # Beschreibung
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB

Mfr.#: SI8900EDB

OMO.#: OMO-SI8900EDB-1190

Neu und Original
SI8900EDB-T2-E1CT

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1CT

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1CT-1190

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