BSS131H6327XT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

240 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

110 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

2.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSS131

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.06 S

Abfallzeit:

64.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.1 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.3 ns

Teil # Aliase:

BSS131 BSS131H6327XTSA1 H6327 SP000702620

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSS131H6327X, BSS131H, BSS131, BSS13, BSS1, BSS