ZXMD63N03XTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

135 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

870 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXMD63

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.9 S

Abfallzeit:

4.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.1 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.5 ns

Gewichtseinheit:

0.004938 oz

Tags

ZXMD63N03, ZXMD63N, ZXMD63, ZXMD6, ZXMD, ZXM