BSC059N04LS G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

73 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

48 S

Abfallzeit:

3.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.4 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.6 ns

Teil # Aliase:

BSC059N04LSGATMA1 BSC59N4LSGXT SP000391499

Gewichtseinheit:

0.003527 oz

Tags

BSC059N04LSG, BSC059N04, BSC059N0, BSC059, BSC05, BSC0, BSC