SP8J65TB1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

21.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

18 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

65 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns, 40 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

SP8J6, SP8J, SP8