FQPF4N60

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

36 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.1 S

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.074950 oz

Tags

FQPF4N60, FQPF4N6, FQPF4N, FQPF4, FQPF, FQP