PBSS4130T,215

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-236AB-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 1 A, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 1 A, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 350 at 100 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

480 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS4130T T/R

Gewichtseinheit:

0.000275 oz

Tags

PBSS4130T,2, PBSS4130T, PBSS413, PBSS41, PBSS4, PBSS, PBS