IXTP36P15P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

36 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

110 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PolarP

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXTP36P15

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

PolarP Leistungs-MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP36, IXTP3, IXTP, IXT