MRF373ALSR1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

NXP

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

N

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

70 V

Gewinnen:

18.2 dB

Ausgangsleistung:

75 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

NI-360S-3

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Höhe:

3.94 mm

Länge:

9.78 mm

Arbeitsfrequenz:

0.47 GHz to 0.86 GHz

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Breite:

5.97 mm

Marke:

NXP / Freescale

Kanalmodus:

Erweiterung

Pd - Verlustleistung:

278 W

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Gewichtseinheit:

0.031651 oz

Tags

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