STW70N10F4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

65 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

85 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.15 mm

Länge:

15.75 mm

Serie:

STW70N10F4

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW70N, STW70, STW7, STW