ZXTC2063E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

45 V, 150 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

190 MHz, 270 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTC2063

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V at NPN, 280 at 1 A, 2 V at NPN, 40 at 3.5 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 20 at 3 A, 2 V at PNP

Pd - Verlustleistung:

1700 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.001517 oz

Tags

ZXTC206, ZXTC2, ZXTC, ZXT