IXTX6N200P3HV

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

Hochspannung

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Rohr

Aufbau:

Single

Marke:

IXYS

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

46 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Pd - Verlustleistung:

960 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 Ohms

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

Polar3

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

2000 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Tags

IXTX6, IXTX, IXT