STB12NM60N-1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

410 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

90 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

8.95 mm

Länge:

10 mm

Serie:

STB12NM60

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

STB12NM, STB12N, STB12, STB1, STB