ZXMP6A13GTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

390 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

5.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

6.7 mm

Serie:

ZXMP6A

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.8 S

Abfallzeit:

5.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.2 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.6 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

ZXMP6A13G, ZXMP6A13, ZXMP6, ZXMP, ZXM