NVMFS4C310NWFT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8FL

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

51 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

18.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

32 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Tags

NVMFS4C31, NVMFS4C3, NVMFS4C, NVMFS4, NVMFS, NVMF, NVM