DMN3013LDG-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

750 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

5.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.16 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2 ns, 2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.2 ns, 6.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.7 ns, 10.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.2 ns, 4.4 ns

Gewichtseinheit:

0.001552 oz

Tags

DMN3013, DMN301, DMN30, DMN3, DMN