SSM3J117TU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UFM-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

225 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

SSM3J117

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.7 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.6 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

SSM3J117, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM