IXFT69N30P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

69 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

49 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXFT69N30

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.158733 oz

Tags

IXFT6, IXFT, IXF